Hvordan man laver en solcelle fra en transistor

Størstedelen af ​​elektroniske nybegyndere til nybegyndere ville helt sikkert have et par opbrændte effekttransistorer såsom 2N3055, der gemmer sig inde i deres skraldespand.

Antager vi, at deres interne halvlederkryds stadig er intakte, kan enheden omdannes til en dejlig lille solcelle ved arkivering eller savning af enhedens øverste hætte for at afdække den interne indlejrede chipform.

Hvor meget strøm kan der genereres med en 2N3055 solcelle?

Når denne 2N3055 chip halvleder udsættes for stærkt sollys, vil den sandsynligvis svinge ca. 0,7 V ud ved strømme så høje som 20 mA. Grafen viser udgangsspænding tegnet versus belastningsstrøm.

Sådan øges det aktuelle

Da overfladearealet på siliciumchippen er lille sammenlignet med en standard solcelle, skal du muligvis bruge et forstørrelsesglas eller en konveks linse for at koncentrere solstråler over silicium-die-chip'en for at øge outputstrømmen.

På den anden side frarådes det ekstremt stærkt koncentreret sollys, hvilket ellers permanent kan brænde transistorforbindelsen!

Fordelen ved at bruge nye 2N3055

Hvis der anvendes en transistor i god stand, kan du muligvis finde udgangsstrøm fordoblet, når kollektor-base og emitter-base junction a er kablet parallelt som angivet i kredsløbsdiagrammet.

Dette er muligvis ikke muligt, hvis transistoren allerede er defekt. Dette skyldes, at en beskadiget transistor kan have en defekt forbindelse, der kan være kortsluttet, hvilket forårsager en kortslutning ved udgangen af ​​solcellen.

Sådan får du 12 V fra 2N3055 solcelle

For at få 12 V fra 2N3055 tilpassede solceller skal du muligvis slutte 18 af disse i serie som vist i nedenstående diagram.

Da hver enhed er i stand til at producere omkring 0,7 V, kan den genererede totale spænding være omkring 0,7 x 18 = 12,6 V. Den maksimale strøm vil dog ikke ændre sig og være stadig omkring 40 mA.

Advarsel: Brug ikke de forældede Germanium power transistorer, da disse typer muligvis kan indeholde ekstremt giftige ingredienser. På den anden side har en førende halvlederproducent konstateret, at de mere moderne silicium-enheder, inklusive 2N3055, er absolut sikre i denne henseende.