Indlægget forklarer de vigtigste specifikationer og pinouts for et lille signal, N-kanal mosfet 2N7000G med lav effekt.
Mosfets vs BJT'er
Når vi taler om mosfeter, forbinder vi det normalt med applikationer med høj strøm, høj spænding og med høj effekt.
Ligesom almindelige BJT'er er der dog også små signalmosfter, som kan bruges lige så effektivt som deres BJT-kolleger.
Mosfets er populære for deres ekstremt høje effektleveringsfunktioner, men alligevel mindre med deres overordnede dimensioner.
I modsætning til BJT'erne ville mosfeter håndtere enorme strømme og spændinger uden at blive større selv i størrelse og uden at involvere mellemliggende buffertrin eller højstrøms drivertrin.
Hvordan Mosfet udløses
Den største fordel ved at bruge en mosfet er, at den kan udløses som ønsket til betjening af en given belastning uanset portdrevstrømmen.
Ovenstående funktion gør det muligt at udløse mosfeter direkte fra kilder med lav strøm, såsom CMOS- eller TTL-udgange uden behov for buffertrin, en stor forskel sammenlignet med BJT'er.
Ovenstående funktion gælder også for små signalmosfeter, som kan udskiftes direkte til små signal-BJT'er, såsom en BC547 for at opnå meget effektive resultater. Et sådant lille signal mosfet datablad, specifikation diskuteres her.
Det er N-kanal 2N7000G mosfet, der typisk er velegnet til applikationer med små signaler i området 200mA og 60V maksimalt.
On-state-modstanden over dens afløbs- og kildeterminaler er typisk omkring 5 ohm. Hovedfunktionerne i dette lille signal, laveffekt mosfet er angivet nedenfor:
Vigtigste elektriske funktioner:
Afløb til kildespænding Vdss = 60V DCGate til kildespænding Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC peak ikke-gentagende, ikke overstiger 50microsecond Afløbsstrøm Id = 200mA DC kontinuerlig, 500mA pulserende
Total effektafledning Pd ved Tc = 250 C (junction temp) = 350 mW Pinouts og pakkeoplysninger kan ses her:
Forrige: Lavpasfilterkredsløb til subwoofer Næste: 10-bånds grafisk equalizer-kredsløb
