BJT blev opfundet i 1948 af William Shockley, Brattain og John Bardeen, som ikke kun har omformet elektronikverdenen, men også i vores daglige liv. De bipolære krydsstransistorer Brug begge ladebærere, der er elektroner og huller. Ligegyldighed de unipolære transistorer såsom felt-effekt transistorer bruger kun en slags ladningsbærer. Til driftsformålet bruger BJT to halvleder type n-type og p-type mellem to kryds. Den vigtigste grundlæggende funktion af en BJT er at forstærke strømmen, det vil tillade, at BJT'er bruges som forstærkere eller switche til at producere bred anvendelighed i elektronisk udstyr, herunder mobiltelefoner, industriel kontrol, tv og radiosendere. Der findes to forskellige typer BJT'er, de er NPN og PNP.

Hvad er en BJT?

Den bipolære forbindelsestransistor er en solid state-enhed, og i BJT'erne er strømmen i to terminaler, de er emitterende og samler, og mængden af strøm styres af den tredje terminal, dvs. baseterminal. Den er forskellig fra den anden type transistor, dvs. Felt-effekt transistor som er udgangsstrømmen styres af indgangsspændingen. Basissymbolet for BJTs n-type og p-type er vist nedenfor.

Bipolære krydsstransistorer

Typer af bipolære forbindelsestransistorer

Som vi har set, tilbyder en halvleder mindre modstand mod strømmen i en retning, og høj modstand er en anden retning, og vi kan kalde transistor som enhedstilstand for halvlederen. De bipolære forbindelsestransistorer består af to typer transistorer. Hvilket, givet os

Punktkontakt
Junction transistor

Ved at sammenligne to transistorer bruges forbindelsestransistorer mere end punkt-transistorer. Yderligere er forbindelsestransistorer klassificeret i to typer, der er angivet nedenfor. Der er tre elektroder til hver krydstransistor, de er emitter, kollektor og base

PNP junction transistorer
NPN-krydsetransistorer

PNP Junction Transistor

I PNP-transistorer er emitteren mere positiv med base og også med hensyn til samleren. PNP-transistoren er en tre-terminal enhed, der er lavet af halvledermateriale . De tre terminaler er kollektor, base og emitter, og transistoren bruges til at skifte og forstærke applikationer. Funktionen af PNP-transistoren er vist nedenfor.

Generelt er kollektorterminalen forbundet med den positive terminal, og emitteren til en negativ forsyning med en modstand enten emitteren eller kollektorkredsløbet. Til basisterminalen tilføres spændingen, og den driver transistor som en ON / OFF-tilstand. Transistoren er i OFF-tilstand, når basisspændingen er den samme som emitterspændingen. Transistormodus er i TIL-tilstand, når basisspændingen falder i forhold til emitteren. Ved at bruge denne egenskab kan transistoren virke på begge applikationer som switch og forstærker. Det grundlæggende diagram for PNP-transistoren er vist nedenfor.

NPN Junction Transistor

NPN-transistoren er nøjagtigt modsat PNP-transistoren. NPN-transistoren indeholder tre terminaler, der er de samme som PNP-transistoren, som er emitter, kollektor og base. Funktionen af NPN-transistoren er

Generelt gives den positive forsyning til kollektorterminalen, og den negative forsyning til emitterterminalen med en modstand enten emitteren eller kollektoren eller emitterkredsløbet. Til basisterminalen tilføres spændingen, og den drives som en ONN / OFF-tilstand for en transistor. Transistoren er i OFF-tilstand, når basisspændingen er den samme som emitteren. Hvis basisspændingen øges i forhold til emitteren, er transistormodus i TIL-tilstand. Ved at bruge denne tilstand kan transistoren fungere som begge applikationer, som er forstærker og switch. Det grundlæggende symbol og NPN-konfiguration som vist nedenfor.

PNP & NPN Junction Transistor

Hetero Bipolar Junction

Den Hetero bipolare junction transistor er også en type er den bipolar junction transistor. Det bruger forskellige halvledermaterialer til emitteren og baseområdet og producerer heterojunction. HBT kan håndtere singler med meget høje frekvenser på flere hundrede GHz generelt, det bruges i ultrahurtige kredsløb og bruges mest i radiofrekvens. Dens applikationer bruges i mobiltelefoner og RF-forstærkere.

“hvordan fungerer en bluetooth ”

Arbejdsprincip for BJT

BE-krydset er forspændt fremad, og CB er et omvendt forspændingspunkt. Bredden på udtømningsområdet for CB-krydset er højere end BE-krydset. Den forreste forspænding ved BE-krydset mindsker barrierepotentialet og producerer elektroner til at strømme fra emitteren til basen, og basen er en tynd og let doteret, den har meget få huller og mindre mængde elektroner fra emitteren ca. 2% den rekombineres i baseområdet med huller, og fra baseterminalen flyder det ud. Dette starter basisstrømmen på grund af kombinationen af elektroner og huller. Det tilbageværende store antal elektroner passerer den omvendte forspændingssamlerkryds for at starte kollektorstrømmen. Ved hjælp af KCL vi kan observere den matematiske ligning

jeg_ER= Jeg_B+ Jeg_C

Basisstrømmen er meget mindre sammenlignet med emitter- og kollektorstrøm

“forskelle mellem analog og digital ”

jeg_ER~ Jeg_C

Her er driften af PNP-transistor den samme som NPN-transistoren, den eneste forskel er kun huller i stedet for elektroner. Nedenstående diagram viser PNP-transistoren for den aktive tilstandsregion.

Arbejdsprincip for BJT

Fordele ved BJT

Høj køreevne
Højfrekvent drift
Den digitale logikfamilie har en emitterkoblet logik, der bruges i BJT'er som en digital switch

Anvendelser af BJT

Følgende er de to forskellige typer applikationer i BJT, de er

Skifter
Forstærkning

Denne artikel giver information om, hvad der er en bipolar junction transistor, typer af BJT, fordele, applikationer og karakteristika ved de bipolære junction transistorer. Jeg håber, at de givne oplysninger i artiklen er nyttige til at give god information og forståelse af projektet. For yderligere, hvis du har spørgsmål vedrørende denne artikel eller om elektriske og elektroniske projekter du kan kommentere i nedenstående afsnit. Her er et spørgsmål til dig, hvis transistorer bruges i digitale kredsløb, fungerer de generelt i hvilken region?

Fotokreditter: